如何用万用表检测mos管是好是坏？

以N沟道MOS场效应管5N60C为例 ，来详细介绍一下具体的测量方法。

1.N沟道MOS场效应管好坏的测量方法

2.用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极 。

测量5N60C好坏时，首先将万用表量程开关调至二极管档
，将5N60C的G极悬空，用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极 ，若是好的管子
，万用表显示为“OL ”，即溢出（见上图）。

3.用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极
。

然后调换红黑表笔 ，再去测量D-S两极
，则万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降（见上图）。

若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时 ，万用表显示的读数接近于零 。

4.用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电
。对于N沟道MOS场效应管充电时
，红表笔应接管子的G极，黑表笔接管子的S极。

在测量完5N60C的D-S两极 ，并且确实是好的之后
，然后用二极管档给MOS场效应管的栅源两极之间的电容充电 。

由于MOS场效应管的输入电阻在GΩ级（GΩ读作吉欧，1GΩ＝1000MΩ） ，数字万用表二极管档的开路测量电压约为2.8～3V，故用二极管档的测量电压给MOS场效应管的栅源两极之间的电容充电后
，可以使MOS场效应管D-S两极之间的电阻变得很小，故用这个方法可以测量场效应管G-S两极之间是否损坏
。

5.5N60C的G-S两极间的电容充电后 ，用电阻档实测D-S两极之间的正向电阻为155.4Ω。

6.用万用表电阻档实测5N60C的D-S两极之间的反向电阻为67.2Ω 。

上面为一个好的N沟道MOS场效应管的测量数据
。对于P沟道MOS场效应管的测量方法与上述测量一样
，只是万用表表笔需要调换一下极性。

扩展资料：

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体 。MOS管的source和drain是可以对调的 ，他们都是在P型backgate中形成的N型区
。在多数情况下
，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的 。

场效应管（FET） ，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance
， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比
。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管 。

场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流
。事实上没有电流流过这个绝缘体 ，所以FET管的GATE电流非常小。

最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体 。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管
，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）
。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚？

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例 。

一、先确定MOS管的引脚：

1 、先对MOS管放电mos管怎么测试好坏 ，将三个脚短路即可mos管怎么测试好坏；

1、首先找出场效应管的D极（漏极）
。对于TO-252
、TO-220这类封装的带有散热片的场效应管mos管怎么测试好坏，它们的散热片在内部是与管子的D极相连的
，故mos管怎么测试好坏我们可用数字万用表的二极管档测量管子的各个引脚，哪个引脚与散热片相连 ，哪个引脚就是D极。

2、找到D极后
，将万用表调至二极管档mos管怎么测试好坏；

3 、用黑表笔接触管子的D极，用红表笔分别接触管子的另外两个引脚 。若接触到某个引脚时 ，万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降
，那么该引脚即为S极（源极），剩下的那个引脚即为G极（栅极）
。

二
、MOS管好坏的测量：

1、当把红表笔放在S极上 ，黑表笔放在D极上
，可以测出来这个导通压降，一般在0.5V左右为正常；

2 、G脚测量 ，需要先对G极充下电
，把红表笔放在G极，黑表笔放在S极；

3
、再次把红表笔放在S极上 ，黑表笔放在D极上，可以测出来这个放大压降
，一般在0.3V左右为正常；

扩展资料

MOS管的主要参数

1、开启电压VT

开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；

标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；通过工艺上的改进 ，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2 、直流输入电阻RAH

即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

这一特性有时以流过栅极的栅流表示

MOS管的RAH可以很容易地超过1010Ω 。

3.
、漏源击穿电压BVDS

在VAH=0（增强型）的条件下
，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；

（2）漏源极间的穿通击穿；

有些MOS管中，其沟道长度较短 ，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区
，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通 ，穿通后
，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引 ，到达漏区
，产生大的ID。

4、栅源击穿电压BVAH

在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VAH ，称为栅源击穿电压BVAH
。

5 、低频跨导gm

在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导；

gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
，是表征MOS管放大能力的一个重要参数

一般在十分之几至几mA/V的范围内

6
、导通电阻RON

导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

在饱和区 ，ID几乎不随VDS改变
，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间

由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下
，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7、极间电容

三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CAH 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

CAH和CGD约为1～3pF ，CDS约在0.1～1pF之间

8、低频噪声系数NF

噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在
，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化

噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示 ，它的单位为分贝（dB） 。这个数值越小
，代表管子所产生的噪声越小

低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

场效应管（MOSFET）检测方法与经验

一
、用指针式万用表对场效应管进行判别

（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象 ，可以判别出结型场效应管的三个电极
。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极
，分别测出其正 、反向电阻值。当某两个电极的正
、反向电阻值相等，且为几千欧姆时 ，则该两个电极分别是漏极D和源极S 。因为对结型场效应管而言
，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G
。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极 ，另一只表笔依次去接触其余的两个电极
，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极 ，其余两电极分别为漏极和源极 。若两次测出的电阻值均很大
，说明是PN结的反向，即都是反向电阻 ，可以判定是N沟道场效应管
，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结 ，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管
，黑表笔接的也是栅极
。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试 ，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏

测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极 、栅极与源极
、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏 。具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档
，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知 ，各种不同型号的管
，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值 ，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大
，可能是内部断极
。然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间 、栅极与源极
、栅极与漏极之间的电阻值 ，当测得其各项电阻值均为无穷大
，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意 ，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测 。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力

具体方法：用万用表电阻的R×100档
，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D ，给场效应管加上1.5V的电源电压
，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G，将人体的感应电压信号加到栅极上
。这样 ，由于管的放大作用
，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化 ，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小
，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动 ，说明管是坏的 。

根据上述方法
，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F
。先将管的G极开路 ，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住G极后
，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ ，表针摆动的幅度较大
，说明该管是好的，并有较大的放大能力。

运用这种方法时要说明几点：首先 ，在测试场效应管用手捏住栅极时
，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加） 。这是由于人体感应的交流电压较高 ，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致
，试验表明，多数管的RDS增大 ，即表针向左摆动；少数管的RDS减小
，使表针向右摆动
。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大 ，就说明管有较大的放大能力。第二，此方法对MOS场效应管也适用 。但要注意
，MOS场效应管的输人电阻高，栅极G允许的感应电压不应过高 ，所以不要直接用手去捏栅极
，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极 ，以防止人体感应电荷直接加到栅极
，引起栅极击穿
。第三，每次测量完毕 ，应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷
，建立起VAH电压，造成再进行测量时表针可能不动 ，只有将G-S极间电荷短路放掉才行 。

（4）用测电阻法判别无标志的场效应管

 首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚
，也就是源极S和漏极D，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2
。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来 ，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来
，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极D；红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极 ，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证
，即放大能力大的黑表笔所接的是D极；红表笔所接地是8极，两种方法检测结果均应一样 。当确定了漏极D 、源极S的位置后 ，按D
、S的对应位置装人电路
，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1 、G2的位置 ，从而就确定了D、S
、G1、G2管脚的顺序。

（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小

对VMOS N沟道增强型场效应管测量跨导性能时
，可用红表笔接源极S 、黑表笔接漏极D，这就相当于在源
、漏极之间加了一个反向电压
。此时栅极是开路的 ，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档
，此时表内电压较高 。当用手接触栅极G时，会发现管的反向电阻值有明显地变化 ，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小
，用此法测时，反向阻值变化不大
。

二、.场效应管的使用注意事项

（1）为了安全使用场效应管 ，在线路的设计中不能超过管的耗散功率
，最大漏源电压 、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中 ，要遵守场效应管偏置的极性 。如结型场效应管栅源漏之间是PN结
，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等
。

（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高 ，所以在运输
、贮藏中必须将引出脚短路
，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意 ，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内
，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮 。

（4）为了防止场效应管栅极感应击穿 ，要求一切测试仪器、工作台 、电烙铁
、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前
，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时 ，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然
，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的 ，并且确保安全；在未关断电源时
，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出
。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。

（5）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动 ，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时
，应当大于根部尺寸5毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等 。

对于功率型场效应管 ，要有良好的散热条件
。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用
，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值 ，使器件长期稳定可靠地工作。

总之，确保场效应管安全使用
，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样 ，广大的专业技术人员
，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发 ，采取切实可行的办法
，安全有效地用好场效应管 。

三.VMOS场效应管

VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件
。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W） 、驱动电流小（0.1μA左右） ，还具有耐压高（最高1200V）
、工作电流大（1.5a～100A）、输出功率高（1～250W） 、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身
，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）
、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用 。

VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数 ，即在栅-源电压不变的情况下
，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象
。因此 ，VMOS管的并联得到广泛应用。

众所周知，传统的MOS场效应管的栅极 、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上
，其工作电流基本上是沿水平方向流动 。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:第一 ，金属栅极采用V型槽结构；第二
，具有垂直导电性
。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动 ，而是自重掺杂N+区（源极S）出发
，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示 ，因为流通截面积增大
，所以能通过大电流 。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管
。

国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂
、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等 ，典型产品有VN401 、VN672
、VMPT2等。

下面介绍检测VMOS管的方法 。

1．判定栅极G

将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻
。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大
，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极 ，因为它和另外两个管脚是绝缘的。

2．判定源极S、漏极D

由图1可见，在源-漏之间有一个PN结
，因此根据PN结正 、反向电阻存在差异，可识别S极与D极 。用交换表笔法测两次电阻 ，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻
，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。

3．测量漏-源通态电阻RDS（on）

将G-S极短路 ，选择万用表的R×1档
，黑表笔接S极，红表笔接D极 ，阻值应为几欧至十几欧
。

由于测试条件不同
，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W ，大于0.58W（典型值） 。

4．检查跨导

将万用表置于R×1k（或R×100）档
，红表笔接S极，黑表笔接D极 ，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转
，偏转愈大，管子的跨导愈高
。

注意事项：

（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管 ，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管
，测量时应交换表笔的位置 。

 （2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1
、2项不再适用
。

（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块 ，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块
，内部有N沟道 、P沟道管各三只，构成三相桥式结构 。

（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品 ，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管
，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A ，PDM=30W
，共源小信号低频跨导gm=2000μS
。适用于高速开关电路和广播
、通信设备中。

（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后 。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后 ，最大功率才能达到30W
。

（6）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加
，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此 ，并联复合管管子一般不超过4个
，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻 。

更多请 LP3401LT1G：

电动车控制器MOS管如何检测好坏

首先,断开控制器与电源连接，把控制器粗黑线与粗红线碰接短路 ，这样做的目的是放完内部电容余电。

然后
，把三根粗黄线对粗黑碰线短接，目的同上
。一定要放电后再进行测量。这三根粗黄线实际上是三根相线 。

做完以上准备工作后 ，按以下三个步骤操作
，即可判断控制器好坏
。

第一步：将万用表置于二极管档测量，用红表笔接控制器负极 ，黑表笔依次测量控制器主线中的黄、绿 、蓝线
，读数约在500左右（数字万用表），三次读数应基本一致。

第二步：用万用表黑表笔接控制器正极 ，红表笔依次接控制器主线黄、绿
、蓝线，读数约在500左右
，三次读数应基本一致

第三步：如果第一、二步的测量正常，则表示无刷控制器基本正常 ，把控制器与车体线路正常连接
，接通电源，拔掉制动线 ，用万用表电压档测量转把5V电压是否正常 。

若以上测试正常
，表示控制器基本正常，否则可判定控制器损坏
。

扩展资料

电动车控制器的作用

1 、驱动电机旋转。

2
、在转把的控制下改变电机驱动电流 ，从而实现电机速度的调整 。

3、在闸把（刹把）的控制下切断输出电流
，实现刹车控制
。

4 、对蓄电池电压进行检测，在蓄电池存储的电压接近“放电终止电压
”时 ，通过控制器面板（或仪表显示盘）来显示电量不足；提醒骑行者调整自己的行程
，当达到终止电压时，通过取样电阻将该信号送到比较器 ，由电路输出保护信号，致使
、保护电路按预先设定的程序发出指令
，切断电流以保护充电器和蓄电池。

5、过流保护，电流过大时过流保护电路动作 ，使电机停转
，避免过流给电机和控制器带来危害 。另外，部分控制器还具有防飞车保护 、巡行限速等功能
。

电路中MOS管的好坏该如何判断？

一.红左 ，黑中
、右无穷大黑左
，红中、右无穷大红中，黑右无穷大mos管怎么测试好坏；黑中红右显示530（左右）。其实场效应管三极管很好判断：有字面朝上从左到右依次为：G 、D
、S ，有些管相反：S、D 、G 。我修显示器、主板
、电源都是从上面mos管怎么测试好坏的方法测绝对没问题。你不信随便拆块板看一看
，场效应管在电路图板的布局及应VMOS大功率场效应晶体管的检测
。

二．1判别各电极与管型。用万用表R×100档，测量场效应晶体管任意两引脚之间的正、反向电阻值 。其中一次测量中两引脚的电阻值为数百欧姆 ，这时两表笔所接的引脚为源极S和漏极D
，而另一引脚为栅极G
。再用万用表R×10k档测量两引脚（漏极D与源极S）之间的正 、反向电阻值。正常时，正向电阻值为2kΩ左右 ，反向电阻值大于500kΩ 。在测量反向电阻值时，红表笔所接引脚不动
，黑表笔脱离所接引脚后，先与栅极G触碰一下 ，然后再去接原引脚
，观察万用表读数的变化情况
。若万用表读数由原来较大阻值变为0，则此红表笔所接的即是源极S ，黑表笔所接为漏极D。用黑表笔触发栅极G有效
，说明该管为N沟道场效应管 。若万用表读数仍为较大值，则黑表笔接回原引脚不变 ，改用红表笔去触碰栅极G后再接回原引脚
，若此时万用表读数由原来阻值较大变为0，则此时黑表笔接的为源极S ，红表笔接的是漏极D
。用表红笔触发栅极G有效
，说明该管为P沟道场效应晶体管。

2．判别其好坏 。用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正
、反向电阻值
。正常时 ，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正 、反向电阻值均应为无穷大。若测得某两极之间的电阻值接近0Ω
，则说明该管已击穿损坏 。另外，还可以用触发栅极（P沟道场效应晶体管用红表笔触发 ，N沟道场效应管用黑表笔触发）的方法来判断场应管是否损坏。若触发有效（触发栅极G后
，D
、S极之间的正、反向电阻均变为0），则可确定该管性能良好
。用吧三,1用10K档,内有15伏电池.可提供导通电压.2因为栅极等效于电容,与任何脚不通,不论N管或P管都很容易找出栅极来,否则是坏管.3利用表笔对栅源间正向或反向充电,可使漏源通或断,且由于栅极上电荷能保持,上述两步可分先后,不必同步,方便.但要放电时需短路管脚或反充.4大都源漏间有反并二极管,应注意,及帮助判断.5大都封庄为字面对自已时,左栅中漏右源。

zbwsemi的MOS管10N65如何测量好坏

编辑-Z

为什么要检测mos管的好坏？

为了保护板上的其他元件 ，在将MOS管10N65连接到电路之前对其进行测试至关重要 。mos管10N65主要有漏极 、源极和栅极三个引脚
。

当使用有故障的MOS管时
，会发生漏极到栅极的短路，对电路不利。这种短路的结果可能是漏极电压反馈 ，这也会影响栅极端子 。电压到达该端后
，通过栅极电阻进一步传输到驱动电路，这种传输可能对驱动电路造成进一步的损坏
。因此 ，在使用前检测mos管10N65的质量可以避免损坏整个电路。那么zbwsemi的MOS管10N65如何测量好坏呢？

测量mos管10N65好坏时要注意的几点

在测试mos管时
，您需要采取一些预防措施 。主要是：

1
、必须保证输入电源大于等于MOS管10N65的阈值电压
。

2、MOS管的漏极电压和栅极电压不能超过击穿电压。

3 、应选择合适的限流电阻给LED供电 。

4
、连接时应始终使用栅源电阻
。这将有助于避免栅极处的噪声，也有助于释放器件的寄生电容。

5、在mos管的栅极处应始终使用低量程电阻 。

6 、最后 ，通过测试电路技术进行测试时，一定要使用低端开关电路。否则
，mos管将无法工作
。

用万用表测量mos管10N65的好坏——电阻测试

当MOS管的栅端没有触发脉冲时，它的漏源电阻很高。电阻测试就是利用这个属性来测试mos管10N65是否有故障 。测试也很简单 ，只需要一个欧姆表或万用表即可执行
。

做一个电阻检查
，无论数字万用表探头的极性如何，一个好的mos管应该在漏极和源极之间有很高的电阻。

以下是进行电阻测试的一些基本步骤：

1、无论欧姆表探头的连接如何 ，功能良好的mos管10N65都应指示高漏源电阻 。

2
、也可以用万用表检查漏源电阻
。将万用表置于电阻模式开始测试
，万用表电阻读数应高到以兆欧为单位。

3、将万用表的读数与mos管10N65的数据表进行比较 。如果您发现电阻读数小于数据表上的值或为零，则存在故障
。仪表或欧姆表应显示数据表上的电阻。

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