4N60参数描述
型号04N60s5参数:4N60
封装:TO-220
特性:N沟道高压MOS管
电性参数:4A 600V
正向电流(Io):4A
静态漏极源导通电阻(RDS(ON)):2.5Ω
功耗(PD):104W
二极管正向电压(VSD):1.4V
最大脉冲正向电流ISM:16A
零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
工作温度:-55~+150℃
引线数量:3
4N60是TO-220封装系列。它的本体长度为15.87mm04N60s5参数,加引脚长度为28.57mm04N60s5参数,宽度为10.66mm ,高度为5.0mm,脚间距为2.54mm 。
4N6004N60s5参数的基本参数是600V,2.5Ω,4A。IRF84004N60s5参数的基本参数是500V,0.85Ω,8A。K111704N60s5参数,K1118的基本参数是600V,0.95Ω,6A 。因此840耐压不够不能替代04N60s5参数,而1117和1118可以替换。
是场效应管 ,4A,600V,可以用SO813 (FQPF)6N60替换。
由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件 。
具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小 、功耗低、动态范围大、易于集成 、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点 ,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
扩展资料:
应用:
最早的实用“半导体”是「电晶体(Transistor)/二极体(Diode)」。
一、在无线电收音机(Radio)及电视机(Television)中,作为“讯号放大器/整流器”用 。
二 、发展「太阳能(Solar Power)」,也用在「光电池(Solar Cell)」中。
三、半导体可以用来测量温度 ,测温范围可以达到生产、生活 、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域,有较高的准确度和稳定性,分辨率可达0.1℃;
甚至达到0.01℃也不是不可能,线性度0.2% ,测温范围-100~+300℃,是性价比极高的一种测温元件。
四、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应.
参考资料来源:百度百科-半导体
① 、关于以上这4n60s和4n60c这两种场效应都属于“N勾道场效应管 ”其参数为:最大电流:4A,耐压:600V。此回答仅供你参考!
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