mos管的放大区就是饱和区,mos的三种状态没有击穿区 ,是截至区 ,击穿区可以定义为第四种状态 。
估计mos管三种状态你没有好好看过书,这个问题在模电书上写得十分清楚mos管三种状态:
对于MOSFET而言 ,
(1) |Ugs|Ugs(th):截止区:
(2)|Ugs|Ugs(th),然后比较|Uds|与Ugs-Ugs(th)mos管三种状态的大小:
如果相等:预夹断mos管三种状态;
如果小于:可变电阻区mos管三种状态;
如果大于:恒流区;
下面问题简单了:
第一个,ugs=6V ,uds=8V,恒流区
第二个,ugs=0V,截止区;
第三个 ,ugs=-6V,uds=-1V,可变电阻区;这个管子是p沟道增强型MOSFET ,其他两个都是N-MOSFET
这是个自给偏置的电路结构mos管三种状态 ,所以栅极电压确定mos管三种状态了,那么源极电压也就确定了mos管三种状态;
另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管,在 Ugs=0V ,即具有导通能力,也就是说,Ug=5V时 ,Us=5V。
MOS管是一种晶体管,可以理解为:一个受电压控制的电阻。根据电压的大小可以调节MOS管的电阻大小,在工作中的MOS管根据电阻的大小可以分为三种区域(三种状态):
1 、导通区(电阻几乎为0,一般就是几十mΩ ,相当于短路);
2、可变电阻区(类似一个可调电阻,阻值大小受电压控制);
3、截止区(电阻几乎无穷大,相当于断路) 。
应用范围很广 ,可大体分为几种状态:
1 、MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加AH M信号可以用于调压,电机调速等方面。
2、几个MOS管搭配可以起到单向导通的作用(类似二极管单向导通),比二极管有优势的地方是压降小、功耗低 ,导通电流大 。低电压大电流的情况下优势更明显;
3 、工作在可变电阻区的时候可以当一个电阻使用,一般集成芯片中的电阻就是使用这种方式的电阻,优势是生产方便 ,体积小巧。
4、工作在可变电阻区还可以起到放大的作用,与三极管放大电路类似。
一共分四个区:可变阻区mos管三种状态;预夹断区mos管三种状态;饱和区mos管三种状态,恒流区或放大区;截止区或全夹断区。JFET则分为:可变阻区;饱和区mos管三种状态 ,恒流区或放大区mos管三种状态,截止区;全夹断区
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