mos管的引脚 ，G
、S、D分别代表什么？

G：gate 栅极mos管三个引脚图顺序；S：source 源极mos管三个引脚图顺序；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在Dmos管三个引脚图顺序
，输出S，P沟道的电源一般接在S ，输出D 。增强耗尽接法基本一样
。

晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在
，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型哗态source和drain组成的PMOS管 。

扩展资料

MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用 ，当然就是用它的开关作用
。

无论N型或者P型判桐MOS管
，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电乱冲源压来控制输出端漏极的电流 。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应 ，因此在开关应用中
，MOS管的开关速度应该比三极管快
。

参考资料来源：百度百科—MOS管

谁能帮我看看电路图上场效应管的三个引脚分别是什么？很简单的问题 。

场效应管与普通三极管功能一样，三个电极对应为：发射机---源极S ，基极--栅极G
，集电极--漏极D
。IRF640管脚排列为（管脚朝下 、面对型号）左起1脚为G，2脚为D ，3脚为肆液前S。

从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型
，ID饱和 。将这种状态称为夹断
。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

扩展资料：

作用：

场效应管可应用于放大 。由于场效应管放大器的输入阻抗很高 ，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容裂清器
。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换 。场效应管可埋败以用作可变电阻。

MOS管在开关电路中的使用

MOS管也就是常说的场效应管（FET）mos管三个引脚图顺序
，有结型场效应管、绝缘栅型场效应管（又分为增强型和耗尽型场扰指差效应管）
。

也可以只分成两类P沟道和N沟道，这里mos管三个引脚图顺序我们就按照P沟道和N沟道分类。

对MOS管分类不了解的可以自己上网查一下 。

场效应管的作用主要有信号的转换
、控制电路的通断 ，这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用
。

对于MOS管的选型缓皮
，注意4个参数mos管三个引脚图顺序：漏源电压（D、S两端承受的电压） 、工作电流（经过MOS管的电路）
、开启电压（让MOS管导通的G、S电压） 、工作频率（最大的开关频率）。

下面我们看一下MOS管的引脚，如下图所示：

有三个引脚 ，分别为G（栅极）
、S（源极）、D（漏极） 。

在开关电路中
，D和S相当于需要接通的电路两端，G为开关控制
。

这里分享一个自己的分辨P沟道和N沟道的方法 ，我们就看中间的箭头
，把G（栅极）连接的部分当做沟道，大家都知道PN结 ，而不是NP结
，那么就是P指向N的，所以脑海里想到这样的情景 P--N ，所以箭头都是P--N的，那么中间的箭头指向的就是N
，如果指向沟道那就是N沟道，如果指向的是S（没有指向沟道） ，那就是P沟道。

这个方法也适用于三极管的判别（NPN 、PNP） 。

在上图中我们可以看到右边都有一个寄生二极管
，起到保护的作用
。

那么根据二极管的单向导电性我们也能知道在电路连接中，D和S应该如何连接。使用有寄生二极管的N沟道MOS管的情况下 ，D的电压要高于S的电压
，否则MOS管无法正常工作（二极管导通） 。

使用有寄生二极管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压 ，原因同上
。

下面是MOS管的导通条件
，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。

比如导通电压为3V的N沟道MOS管，只要G的电压比S的电压高3V即可导通（D的电压也要比S的高） 。

同理 ，导通电压为3V的P沟道MOS管
，只要G的电压比S的电压低3V即可导通（S的电压比D的高）。

在电路中的典型逗桐应用如下图所示，分别为N沟道与P沟道的MOS管驱动电路：

 我们可以看到 ，N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通
，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；

P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断 ，GPS_AH R引脚为低电平时导通
，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电
。

重点
、重点、重点 ，以上两个应用电路中
，N沟道和P沟道MOS管不能互相替代，如下两个应用电路不能正常工作：

对于上面两个电路如何修改能正常工作？

MOSFET场效应管的三个接线柱怎么接啊？

对于MOSFET型场效应管来说 ，他有三个电极团伏闷
，即栅极G（控制） 、漏极D和源极S（被控制），对于N沟道的（就是箭头指向栅极的内个）D
、G接高电平（+） ，S接低电平（-）
，D、S导通（VAH 要大于夹断电压塌弯，约为1V左右 ，根据管子不同夹断电厅备压也不同），电流方向为D--S 一般G的电压（相对于S）不能大于30V
，否则会击穿！（一般为10V左右）同时DS两端的耐压，和所能承受的电流也一个考虑到（例如2N60B IDS=2A VDS=600V）最后还有跨导（gm）

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