mos管的引脚 ，G
、S、D分别代表什么？

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极 。N沟道的电源一般接在D
，输出S，P沟道的电源一般接在S ，输出D
。

增强耗尽接法基本一样。

无论N型或者P型MOS管
，其工作原理本质是一样的 。

扩展资料

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体
。MOS管的source和drain是可以对调的 ，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化 。FET的增益等于它的transconductance
， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

参考资料MOS管＿百度百科

场效应管（MOS）三个脚怎么区分？N和P怎么区分？

场效应管

mos管三个管脚的

栅极

相当于

晶体管

的

基极

mos管三个管脚，源极和漏极分别对应于晶体管的

发射极

和

集电极

。将

万用表

置于R×1k档mos管三个管脚 ，用两

表笔

分别测量每两个管脚间的正 、

反向

电阻

。当某两个管脚间的正
、反向电阻相等
，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换） ，余下的一个管脚即为栅极G 。

根据场效应管的

PN结

正、反向电阻值不一样的现象
，可以判别出

结型场效应管

的三个电极：若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向 ，即都是反向电阻
，可以判定是N

沟道

场效应管，且

黑表

笔接的是栅极mos管三个管脚；若两次测出的电阻值均很小 ，说明是正向PN结
，

即是

正向电阻

，判定为P沟道场效应管 ，黑表笔接的也是栅极
。

如何区分MOS管的3只脚？类型？及怎么判断好坏？怎么判定是否正常工作？不要COPY
，简明详细！

1.正面管脚向下从左到右依次是 G D S (也有特殊的)。

2.带P的大多是P沟道的 。

3.万用表二极管档测量，如果都通了一定坏(半死状态测量很麻烦
。)

请问N沟道、耗尽型的场效应管的三个管脚怎么接？

举例说明 ，自己画了一个通俗
、简单的场效应管驱动LED的电路图
，左图为N沟道场效应管（型号IRF630），右图为P沟道场效应管（型号IRF9640） ，电源电压12V
，具体到你这个电路中，图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值 ，从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法。下面简要说明 。

场效应管
，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚
。依内部PN结方向的不同 ，MOSFET分为N沟道型（上图）和P沟道型（下图）
，如下面图所示，一般使用N沟道型可带来便捷性。

N沟道MOSFET管用法】：（栅极G高电平D与S 间导通 ，栅极G低电平D与S间 截止，P沟道与之相反）

栅极/基极(G)接控制信号
，

源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极 ，负载输入正极直接接负载电源正极 。

当栅极/基极(G)电压大于MOSFET管开启电压（通常为1.2V）
，源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小 ，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接
。这样负载负极被连通负载电源负极
，负载工作。当栅极/基极(G)电压小于MOSFET管开启电压时，源极(S)到漏极(D)电阻极大 ，可以认为源极(S)到漏极(D)断路
，则负载负极被负载电源正极拉高，负载不工作 。（这里只用最易理解的语言说说用法 ，事实上MOSFET的开启和关闭取决于栅极/基极(G)和源极(S)之间的正压差）

这样
，我们只要控制MOSFET的栅极/基极(G)电压有无，即可控制负载的工作与不工作 ，形成一个开关效应。MOSFET管的开关时间非常快，一般在纳秒极
，你就认为是瞬间开启/关闭就可以了，在MOSFET管内部是没有延迟的
。

由于MOSFET管的快速开关特性 ，使用高频PWM方波信号对其栅极/基极(G)进行控制
，可以在输出端获得超高速切换的平均电压，这个平均电压取决于PWM波的占空比。这就是UBEC或者电调等模型设备的降压和调速原理 。这种高频开关降压方法几乎没有能量损失 ，效率一般在95%以上
。

【P沟道MOSFET管用法】：】：（栅极G高电平D与S 间截止
，栅极G低电平D与S间 导通）

栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源正极 ，漏极(D)接负载输入正极
，负载输出负极直接接负载电源负极（模拟地）。

当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压（负载电源电压）1.2V以上时，源极(S)到漏极(D)导通 ，导通电流很小
，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接 。这样负载正极被连通负载电源正极，负载工作
。当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压（负载电源电压）不足1.2V ，或栅极/基极(G)电压大于等于源极(S)电压时，源极(S)到漏极(D)电阻极大
，可以认为源极(S)到漏极(D)断路，则负载不工作。

MOSFET场效应管做为快速开关元件的用法就简单说到这里 ，复杂理论咱不说它
，知道怎么用就行了 。如果仅仅是做为电子开关使用，也可以简单用三极管代替MOSFET管 ，只不过三极管的效率、开关速度 、开关可靠性远不如MOSFET管
。

mos管三个引脚图顺序

G：gate栅极mos管三个管脚；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在Dmos管三个管脚
，输出Smos管三个管脚，P沟道的电源一般接在Smos管三个管脚 ，输出D 。增强耗尽接法基本一样
。

这是MOS管热释电红外传感器
，那个矩形框是感应窗口，G脚为接地端 ，D脚为内部MOS管漏极
，S脚为内部MOS管源极。在电路中，G接地 ，D接电源正，红外信号从窗口输入
，电信号从S输出 。

关于MOS管

晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在 ，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管
。

判断源极S
、漏极D

将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻
，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极 ，红表笔接D极 。因为测试前提不同
，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些
。

mos管三个管脚的介绍就聊到这里吧，感谢你花时间阅读本站内容 ，更多关于mos管引脚定义、mos管三个管脚的信息别忘了在本站进行查找喔。