场效应管和mos管区别

场效应管和mos管区别主要体现在：主体不同、特性不同和规则不同。

主体不同

场效应管：V型槽MOS场效应管 。是继MOSFET之后新发展起来的高效 、功率开关器件
。

MOS管：金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。

特性不同

场效应管：不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）
、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5a～100A） 、输出功率高（1～250W）
、跨导的线性好、开关速度快等优良特性 。

MOS管：主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层 ，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）
。

规则不同

场效应管：将电子管与功率晶体管之优点集于一身
，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍） 、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

MOS管：当VAH =0时管子是呈截止状态，加上正确的VAH 后 ，多数载流子被吸引到栅极
，从而“增强 ”了该区域的载流子，形成导电沟道 。

请教mos管 作用

MOS管作用mos管场效应管：用途广泛 ，包括电视机高频头（高频，小电流）到开关电源（高压大电流）
，现在把MOS和双极型（普通三极管）复合在一起（IGBT，绝缘栅双极型晶体管） ，广泛应用于大功率领域。

在计算机领域
，CMOS指保存计算机基本启动信息（如日期
、时间、启动设置等）mos管场效应管的芯片
。人们会把CMOS和BIOS混称，其实CMOS是主板上的一块可读写的并行或串行FLASH芯片 ，是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。

MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET) 。它一般有耗尽型和增强型两种
。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型
，PNP型也叫P沟道型 。

扩展资料：

当CMOS被使用来作数字影像器材的感光元件使用，称有源像素感测器（Active Pixel Sensor） ， 例如高分辨率数字摄影机与数码相机
，尤其是片幅规格较大的数码单反相机更常见到CMOS的应用
。

另外消费型数码相机及附有照相功能的手机亦开始使用堆叠式有源像素感测器（Stacked CMOS，也有人译为积层式有源像素感测器或堆栈式有源像素感测器） 或背面照射式有源像素感测器(BSI CMOS) ，使成像质量得以提升。 跟传统的电荷耦合元件(CCD)相比
，由于CMOS每粒像素都设有放大器，所以数据传输速度很高 。

虽然在用途上与过去CMOS电路主要作为固件或计算工具的用途非常不同 ， 但基本上它仍然是采取CMOS的工艺，只是将纯粹逻辑运算的功能转变成接收外界光线后转化为电能
，再透过芯片上的数字─模拟转换器（ADC）将获得的影像信号转变为数字信号输出
。

参考资料来源：百度百科——场效应管

参考资料来源：百度百科——mos管

参考资料来源：百度百科——CMOS

mos管的作用

mos管的作用：可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小 ，不必使用电解电容器 。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换
。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻 。可以方便地用作恒流源。可以用作电子开关
。

MOS管为压控元件
，只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通，它的导通就像三极管在饱和状态一样 ，导通结的压降最小
，常说的精典是开关作用。去掉这个控制电压经就截止 。

MOS管即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型
。因此 ，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中
，MOS管通常被用于放大电路或开关电路 。

MOS管的特性

开关特性
。MOS管是压控器件，作为开关时 ，NMOS只要满足VgsVgs(th)即可导通
，PMOS只要满足Vgs。

开关损耗 。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的 ，导通电阻都很小
。开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中，MOS处于恒流区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗 。减小损耗通常有两个方法
，一是缩短开关时间，二是降低开关频率
。

由压控所导致的的开关特性。由于制作工艺的限制 ，NMOS的使用场景要远比PMOS广泛
，因此在将更适合于高端驱动的PMOS替换成NMOS时便出现了问题 。

在宽电压的应用场景中，栅极的控制电压很多时候是不确定的 ，为了保证MOS管的安全工作
，很多MOS管内置了稳压管来限制栅极的控制电压。

MOS管是什么？

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同 ，二极管只能通过正向电流
，反向截止，不能控制 ，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流
，MOS管是小电压控制电流的
。

MOS管的输入电阻极大，兆欧级的 ，容易驱动，但是价格比三极管要高
，一般适用于需要小电压控制大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。

拓展资料：

MOS电容的特性能被用来形成MOS管 。Gate ，电介质和backgate保持原样
。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source
，另一个称为drain 。假设source 和backgate都接地，drain接正电压
。

根据客户要求的不同 ，我司有针对mos管场效应管产品多种技术处理方案
，技术资料也有所不同，所以不能直接呈现 ，有需求的客户请与联系我们洽淡13715099949/联系13715099949/13247610001
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