MOS开关电路图电路图如下:
AOD448是30V 75a的管子,是用4.5V驱动的 ,偏高了点。
可以用AOD442,AO3416等管子,电压用2.5V就能驱动 。当电压为2.5V时 ,只有26豪欧。电流2到3安没问题。
也可以用IRF540N,1A条件下一点问题都没有,当时做精密恒流源 ,可以控制到精度1mA 。不过散热很重要,要有足够大的散热片和小风扇。电压有个3-5V就足够了。高电平驱动(其实就相当于PWM) 。
扩展资料:
mos管开关电路:
1 、P沟道MOS管开关电路
PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是 ,Vgs指的是栅极G与源极S的电压,即栅极低于电源一定电压就导通,而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大 ,所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管 。
2、N沟道mos管开关电路
NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动) ,只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了,漏极D接电源,源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差 ,所以当NMOS作为高端驱动时候,当漏极D与源极S导通时,漏极D与源极S电势相等 ,那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压,漏极D与源极S才能继续导通。
参考资料来源:百度百科-Mos开关电路
从图标出VBAT、VBAT OUT看mos场效应管开关电路,你的整个电路都错了mos场效应管开关电路:
1 、P型场效应管应从S极输入、D极输出mos场效应管开关电路,你把输入和输出弄反了 。
2、那个R23 ,应接在S 、G之间,而不是接在G、D之间。R23是泄放电阻,当控制信后从0到1时 ,迅速将加在G极的负压释放,保证有效关断。就算你标错那个OUT,在S极输入、D极输出 ,你哪个R23就会使管子导通 。除非EN FANG有个正压输入加到G极上,否则电路就不会关闭。
MOS管也就是常说的场效应管(FET),有结型场效应管、绝缘栅型场效应管(又分为增强型和耗尽型场效应管)。
也可以只分成两类P沟道和N沟道 ,这里我们就按照P沟道和N沟道分类 。
对MOS管分类不了解的可以自己上网查一下。
场效应管的作用主要有信号的转换 、控制电路的通断,这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。
对于MOS管的选型,注意4个参数:漏源电压(D、S两端承受的电压)、工作电流(经过MOS管的电路) 、开启电压(让MOS管导通的G、S电压)、工作频率(最大的开关频率) 。
下面我们看一下MOS管的引脚 ,如下图所示:
有三个引脚,分别为G(栅极) 、S(源极)、D(漏极)。
在开关电路中,D和S相当于需要接通的电路两端,G为开关控制。
这里分享一个自己的分辨P沟道和N沟道的方法 ,我们就看中间的箭头,把G(栅极)连接的部分当做沟道,大家都知道PN结 ,而不是NP结,那么就是P指向N的,所以脑海里想到这样的情景 P--N ,所以箭头都是P--N的,那么中间的箭头指向的就是N,如果指向沟道那就是N沟道 ,如果指向的是S(没有指向沟道),那就是P沟道。
这个方法也适用于三极管的判别(NPN、PNP) 。
在上图中我们可以看到右边都有一个寄生二极管,起到保护的作用。
那么根据二极管的单向导电性我们也能知道在电路连接中 ,D和S应该如何连接。使用有寄生二极管的N沟道MOS管的情况下,D的电压要高于S的电压,否则MOS管无法正常工作(二极管导通) 。
使用有寄生二极管的P沟道MOS管,S的电压要高于D的电压 ,原因同上。
下面是MOS管的导通条件,只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通(当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压)。
比如导通电压为3V的N沟道MOS管,只要G的电压比S的电压高3V即可导通(D的电压也要比S的高) 。
同理 ,导通电压为3V的P沟道MOS管,只要G的电压比S的电压低3V即可导通(S的电压比D的高)。
在电路中的典型应用如下图所示,分别为N沟道与P沟道的MOS管驱动电路:
我们可以看到 ,N沟道的MOS管的电路中,BEEP引脚为高电平即可导通,蜂鸣器发出声音 ,低电平关闭蜂鸣器;
P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断,GPS_PWR引脚为低电平时导通,GPS模块正常供电 ,高电平时GPS模块断电。
重点 、重点、重点,以上两个应用电路中,N沟道和P沟道MOS管不能互相替代,如下两个应用电路不能正常工作:
对于上面两个电路如何修改能正常工作?
mos管是电压控制元件 ,在某些方面使用起来很方便,当然,在开关电路中 ,由于mos管的导通电阻很小,所以使用也非常好,在开关电路中应用 ,就是一个能够受控制的开关,一般是受电压信号的控制 。
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