场效应晶体管的分类？

场效应管分结型 、绝缘栅型(MOS)两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型 ，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的 。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管
，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（mos管）
。

详细情况请见：

场效应管共分几种？

场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junctionFET-JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET) 。由多数载流子参与导电 ，也称为单极型晶体管
。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小
、功耗低、动态范围大 、易于集成
、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点
，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者 。场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名
。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电 ，又称单极型晶体管。FET英文为FieldEffectTransistor
，简写成FET 。场效应管[2]是常见的电子元件，属于电压控制型半导体器件
。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω） 、噪声小
、功耗低、动态范围大 、易于集成
、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。1.场效应管可应用于放大 。由于场效应管放大器的输入阻抗很高 ，因此耦合电容可以容量较小
，不必使用电解电容器
。2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换 。3.场效应管可以用作可变电阻。4.场效应管可以方便地用作恒流源
。5.场效应管可以用作电子开关。其特点为（1）场效应管是电压控制器件，它通过VAH(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；（2）场效应管的输入端电流极小 ，因此它的输入电阻很大 。（3）它是利用多数载流子导电
，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低
。

场效应管分为几种？

场效应管（FET）是一种电压掌握电流器件。其特色是输出电阻高 ，噪声系数低，受温度和辐射影响小 。因此特殊运用于高敏锐度 、低噪声电路中 
。

场效应管的品种许多
，按构造可分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）.结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅场效应管次要指金属--氧化物--半导体场效应管（MOS管）

 。MOS管又分为“耗尽型 ”和“加强型”两种，而每一种又分为N沟道和P沟道 
。

结型场效应管是应用导电沟道之间耗尽区的宽窄来掌握电流的 ，输出电阻（105～1015）之间；

绝缘栅型是应用感应电荷的若干来掌握导电沟道的宽窄从而掌握电流的巨细
，其输出阻抗很高(栅极与其它电极相互绝缘)。它在硅片上的集成度高，因而在大范围集成电路中占领极端主要的位置  。

场效应管可作哪些分类？

场效应管分为N沟道和P沟道 ，主要以N沟道增强型为主
，也比较容易辨别N沟道和P沟道，各个品牌的命名方式就可以看出 ，比方的：FQPF5N60,N就代表N沟道
，FQP27P06,P就代表P沟道
。于PNP型三极管，C
、E极分别为其内部两个PN结的正极 ，B极为它们共同的负极
，而对于NPN型三极管而言，则正好相反：C、E极分别为两个PN结的负极 ，而B极则为它们共用的正极，根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。具体方法如下：将万用表拨在R深圳振邦微 mes;100或R×1K档上 。红笔接触某一管脚
，用黑表笔分别接另外两个管脚，这样就可得到三组（每组两次）的读数 ，当其中一组二次测量都是几百欧的低阻值时
，则红表笔所接触的管脚就是基极，且三极管的管型为PNP型；如用上述方法测得一组二次都是几十至上百千欧的高阻值时 ，则红表笔所接触的管脚即为基极
，且三极管的管型为NPN型。

MOSFET 有几种类型 ，电路符号是什么样？

一 、场效应管mos场效应管分类的分类 按沟道半导体材料mos场效应管分类的不同mos场效应管分类
，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种
。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型 ，绝缘栅型场效应管既有耗尽型mos场效应管分类的
，也有增强型的 。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管
。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型mos场效应管分类；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图 。

二、场效应三极管的型号命名方法 第二种命名方法是AH ××#，AH 代表场效应管 ，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格
。例如AH 14A
、AH 45G等。

三、场效应管的参数 1 、I DSS — 饱和漏源电流 。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中
，栅极电压U AH=0时的漏源电流
。 2
、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压 。 3、UT — 开启电压
。是指增强型绝缘栅场效管中 ，使漏源间刚导通时的栅极电压。 4 、gM — 跨导 。是表示栅源电压U AH — 对漏极电流I D的控制能力
，即漏极电流I D变化量与栅源电压UAH变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数
。 5
、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UAH一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压 。这是一项极限参数 ，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS
。 6、PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数
，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率 。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量
。 7 、IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数 ，是指场效应管正常工作时
，漏源间所允许通过的最大电流 。场效应管的工作电流不应超过IDSM.

常用的mos管有哪些

MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制构成增强型或耗尽型 ，P沟道或N沟道共4种类型
，但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS ，或者PMOS指的就是这两种
。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。

一
、结型场效应管（JFET）

结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管 。

结型场效应管也具有三个电极
，它们是：栅极；漏极；源极
。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号 ，由于PN结中的载流子已经耗尽
，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区 ，当漏极电源电压ED一定时
，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚 ，则漏 、源极之间导电的沟道越窄
，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负 ，则沟道变宽
，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化 ，就是说，场效应管是电压控制元件 。

二
、绝缘栅场效应管

1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式
，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
。

2 、它是由金属、氧化物和半导体所组成 ，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管
，简称MOS场效应管。

3
、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用UAH来控制“感应电荷
”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况 ，然后达到控制漏极电流的目的 。在制造管子时
，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷 ，这些负电荷把高渗杂质的N区接通
，形成了导电沟道，即使在VAH=0时也有较大的漏极电流ID
。当栅极电压改变时 ，沟道内被感应的电荷量也改变
，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型；当栅压为零 ，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型 。

mos场效应管分类的介绍就聊到这里吧
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